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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

nbsp;最近，吴恩达发了篇长文，对着「AI 就业末日论」就是一顿疯狂输出。他指出，这种过度夸大的失业恐慌不仅是不负责任的，且极具破坏性。在这场焦虑蔓延的背后，隐藏着 AI 初创公司拉高估值与传统企业掩盖决策失误的双重利益诉求。          「AI 末日论」，就是个生意    &nb

完成10a DRAM开发，2027年开展品质测试，2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起转向3D DRAM结构。          技术上，单元面积由传统6F²缩减至4F²，可提升单位面积容量30%–50%，兼顾速度与功耗优势；采用IGZO沟道材料抑制漏电，外围电路通过晶圆对晶圆混

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发布时间：04:01:19